用于等离子体室中的均匀等离子体分布的等离子体源

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200580034938.4

申请日：

2005-05-27

公开(公告)号：

CN101040366A

公开(公告)日：

2007-09-19

发明(设计)人：

金南宪

申请人：

申请人地址：

韩国京畿道

IPC主分类号：

H01L2102

IPC分类号：

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司

代理人：

杨生平;潘士霖

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2007-09-19	公开	公开
2007-11-21	实质审查的生效	实质审查的生效
2009-10-21	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回

共 50 条

[1] 等离子体源 [P].

河利孝 .

中国专利 :CN1169094A ,1997-12-31

[2] 等离子体源线圈和使用该等离子体源线圈的等离子体室 [P].

金南宪 ;

李堵汉 ;

吴荣根 .

中国专利 :CN1938824A ,2007-03-28

[3] 具有均匀磁场分布的自适应耦合等离子体源和具有该等离子体源的等离子体室 [P].

金南宪 .

中国专利 :CN101292332A ,2008-10-22

[4] 等离子体源 [P].

酒井滋树 ;

高桥正人 .

中国专利 :CN1269692A ,2000-10-11

[5] 用于产生均匀等离子体的自适应等离子体源 [P].

金南宪 .

中国专利 :CN100438718C ,2006-11-15

[6] 用于设置具有自适应等离子体源的等离子体室的方法、使用该等离子体室的等离子体蚀刻方法和用于自适应等离子体源的制造方法 [P].

宋荣洙 ;

吴相龙 ;

金升基 ;

金南宪 ;

吴荣根 ;

李堵汉 .

中国专利 :CN1898780A ,2007-01-17

[7] 等离子体源 [P].

藤田秀树 ;

糸井骏 .

中国专利 :CN109119314A ,2019-01-01

[8] 等离子体源 [P].

井内裕 .

中国专利 :CN304546178S ,2018-03-20

[9] 等离子体源 [P].

S·克拉斯尼特泽 ;

J·哈格曼恩 .

中国专利 :CN105144338A ,2015-12-09

[10] 等离子体源 [P].

井内裕 ;

谷井正博 .

中国专利 :CN103779155B ,2014-05-07

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