具有均匀磁场分布的自适应耦合等离子体源和具有该等离子体源的等离子体室

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN200680039192.0
申请日
2006-10-20
公开(公告)号
CN101292332A
公开(公告)日
2008-10-22
发明(设计)人
金南宪
申请人
申请人地址
韩国京畿道
IPC主分类号
H01L213065
IPC分类号
代理机构
北京集佳知识产权代理有限公司
代理人
李春晖;杨红梅
法律状态
公开
国省代码
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共 50 条
[1]   用于等离子体室中的均匀等离子体分布的等离子体源 [P]. 
金南宪 .
中国专利 :CN101040366A ,2007-09-19
[2]   等离子体源线圈和使用该等离子体源线圈的等离子体室 [P]. 
金南宪 ;
李堵汉 ;
吴荣根 .
中国专利 :CN1938824A ,2007-03-28
[3]   用于设置具有自适应等离子体源的等离子体室的方法、使用该等离子体室的等离子体蚀刻方法和用于自适应等离子体源的制造方法 [P]. 
宋荣洙 ;
吴相龙 ;
金升基 ;
金南宪 ;
吴荣根 ;
李堵汉 .
中国专利 :CN1898780A ,2007-01-17
[4]   用于产生均匀等离子体的自适应等离子体源 [P]. 
金南宪 .
中国专利 :CN100438718C ,2006-11-15
[5]   具有等离子体源线圈的等离子体室及使用该等离子体室蚀刻晶片的方法 [P]. 
金南宪 .
中国专利 :CN1934683A ,2007-03-21
[6]   等离子体源 [P]. 
酒井滋树 ;
高桥正人 .
中国专利 :CN1269692A ,2000-10-11
[7]   等离子体源和等离子体处理装置 [P]. 
池田太郎 ;
长田勇辉 ;
宫下大幸 ;
小野田裕之 ;
川上聪 .
中国专利 :CN115696713A ,2023-02-03
[8]   等离子体源 [P]. 
藤田秀树 ;
糸井骏 .
中国专利 :CN109119314A ,2019-01-01
[9]   等离子体源 [P]. 
井内裕 .
中国专利 :CN304546178S ,2018-03-20
[10]   等离子体源 [P]. 
S·克拉斯尼特泽 ;
J·哈格曼恩 .
中国专利 :CN105144338A ,2015-12-09