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一种集成电路及集成电路通孔偏移检测方法

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202510470758.X
申请日：
2025-04-15
公开(公告)号：
CN120184150A
公开(公告)日：
2025-06-20
发明(设计)人：
张凯 殷鹏 王正文
申请人：
成都紫光国芯电子有限公司 西安紫光国芯半导体股份有限公司
申请人地址：
610041 四川省成都市高新区蜀新大道666号2号楼3层C2-2-3-001号
IPC主分类号：
H01L23/544
IPC分类号：
H01L21/66 H10B12/00
代理机构：
西安佩腾特知识产权代理事务所(普通合伙) 61226
代理人：
张倩
法律状态：
公开
国省代码：
江苏省 常州市
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2025-06-20 公开 公开
2025-07-08 实质审查的生效 实质审查的生效IPC(主分类):H01L 23/544申请日:20250415
共 50 条
[1]   硅通孔检测电路及方法、集成电路 [P]. 
林祐贤 .
中国专利 :CN111198316A ,2020-05-26
[2]   硅通孔检测电路及方法、集成电路 [P]. 
林祐贤 .
中国专利 :CN111198316B ,2025-04-04
[3]   硅通孔检测电路及集成电路 [P]. 
林祐贤 .
中国专利 :CN209446727U ,2019-09-27
[4]   硅通孔检测电路及集成电路 [P]. 
林祐贤 ;
吕翼君 ;
杨正杰 .
中国专利 :CN209542774U ,2019-10-25
[5]   硅通孔检测电路及其检测方法、集成电路 [P]. 
林祐贤 ;
吕翼君 ;
杨正杰 .
中国专利 :CN111175630B ,2025-05-30
[6]   硅通孔检测电路及其检测方法、集成电路 [P]. 
林祐贤 ;
吕翼君 ;
杨正杰 .
中国专利 :CN111175630A ,2020-05-19
[7]   通孔刻蚀方法、集成电路制造方法和集成电路 [P]. 
俞柳江 .
中国专利 :CN102386138A ,2012-03-21
[8]   硅通孔检测电路及方法、集成电路芯片 [P]. 
林祐贤 .
中国专利 :CN109037193A ,2018-12-18
[9]   集成电路内部电压检测电路、检测方法以及集成电路 [P]. 
张俊谋 ;
卢山 ;
张闯 ;
陈一敏 ;
王剑 ;
成园林 .
中国专利 :CN115308467A ,2022-11-08
[10]   集成电路及集成电路制造方法 [P]. 
耶罗恩·范登博门 .
中国专利 :CN102105986A ,2011-06-22
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