投射的等离子体源

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN201280040741.1
申请日
2012-06-21
公开(公告)号
CN103748972A
公开(公告)日
2014-04-23
发明(设计)人
D·J·霍夫曼 D·卡特 K·彼得森 R·格里利
申请人
申请人地址
美国科罗拉多州
IPC主分类号
H05H146
IPC分类号
H05H124 H05H102 C23C1652 B01J1908
代理机构
永新专利商标代理有限公司 72002
代理人
张伟;王英
法律状态
实质审查的生效
国省代码
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共 50 条
[1]   等离子体源 [P]. 
河利孝 .
中国专利 :CN1169094A ,1997-12-31
[2]   用于等离子体反应器的增强等离子体源 [P]. 
V·N·托多罗 ;
G·勒雷 ;
M·D·威尔沃斯 ;
L-S·蒋 .
中国专利 :CN105340059A ,2016-02-17
[3]   用于等离子体室中的均匀等离子体分布的等离子体源 [P]. 
金南宪 .
中国专利 :CN101040366A ,2007-09-19
[4]   等离子体源和等离子体处理装置 [P]. 
池田太郎 ;
长田勇辉 ;
宫下大幸 ;
小野田裕之 ;
川上聪 .
中国专利 :CN115696713A ,2023-02-03
[5]   等离子体源机构 [P]. 
乐卫平 ;
黄晓东 ;
林伟群 ;
刘涛 ;
张桂东 ;
蚁振宇 .
中国专利 :CN218217775U ,2023-01-03
[6]   等离子体源 [P]. 
酒井滋树 ;
高桥正人 .
中国专利 :CN1269692A ,2000-10-11
[7]   等离子体源 [P]. 
藤田秀树 ;
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[8]   等离子体源 [P]. 
井内裕 .
中国专利 :CN304546178S ,2018-03-20
[9]   等离子体源 [P]. 
S·克拉斯尼特泽 ;
J·哈格曼恩 .
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[10]   等离子体源 [P]. 
井内裕 ;
谷井正博 .
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