半导体装置、半导体模块以及半导体装置的制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200510097658.X

申请日：

2005-08-31

公开(公告)号：

CN1744302A

公开(公告)日：

2006-03-08

发明(设计)人：

塚本弘昌藤田和弥安留高志

申请人：

申请人地址：

日本大阪市

IPC主分类号：

H01L2302

IPC分类号：

H01L2714

代理机构：

中国专利代理(香港)有限公司

代理人：

浦柏明;刘宗杰

法律状态：

专利权的终止

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-08-18	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 23/02 申请日:20050831 授权公告日:20080702 终止日期:20190831
2006-03-08	公开	公开
2006-05-03	实质审查的生效	实质审查的生效
2008-07-02	授权	授权

共 50 条

[1] 半导体装置以及半导体模块 [P].

庄司敦 ;

吉田崇一 .

日本专利 :CN112470291B ,2025-03-11

[2] 半导体装置以及半导体模块 [P].

吉田崇一 .

日本专利 :CN119302055A ,2025-01-10

[3] 半导体装置以及半导体模块 [P].

庄司敦 ;

吉田崇一 .

中国专利 :CN112470291A ,2021-03-09

[4] 半导体装置以及半导体模块 [P].

安田英司 ;

今井俊和 ;

大河亮介 ;

今村武司 ;

坂本光章 ;

吉田一磨 ;

平子正明 ;

升元康之 ;

曾田茂稔 ;

太田朋成 .

中国专利 :CN112271178B ,2021-01-26

[5] 半导体装置以及半导体模块 [P].

中村浩之 ;

冈田章 ;

野尻荣治 .

中国专利 :CN105679731A ,2016-06-15

[6] 半导体装置以及半导体模块 [P].

中田洋辅 ;

海老原洪平 .

日本专利 :CN120413532A ,2025-08-01

[7] 半导体装置、半导体模块及半导体装置的制造方法 [P].

野村一城 ;

大桥健一 ;

山下创一 ;

森健太郎 ;

村吉彬 ;

奥山拓希 .

日本专利 :CN118676099A ,2024-09-20

[8] 半导体模块、半导体装置以及半导体模块的制造方法 [P].

上村威 .

中国专利 :CN112185910A ,2021-01-05

[9] 半导体模块、半导体装置以及半导体装置的制造方法 [P].

榎本一雄 .

日本专利 :CN117795674A ,2024-03-29

[10] 半导体装置、半导体模块以及半导体装置的制造方法 [P].

森山豊 ;

桥长达也 .

日本专利 :CN119028920A ,2024-11-26

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