层叠存储器件和半导体存储系统

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN201610445646.X
申请日
2016-06-20
公开(公告)号
CN106782641A
公开(公告)日
2017-05-31
发明(设计)人
李贤圣 郑椿锡
申请人
申请人地址
韩国京畿道
IPC主分类号
G11C11406
IPC分类号
代理机构
北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363
代理人
李少丹;许伟群
法律状态
授权
国省代码
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共 50 条
[41]   半导体存储器件 [P]. 
朱鲁根 ;
金度鸿 ;
金载镒 .
中国专利 :CN106057232A ,2016-10-26
[42]   半导体存储器件 [P]. 
李宰承 ;
朱鲁根 .
韩国专利 :CN114550769B ,2025-09-12
[43]   半导体存储器件 [P]. 
朴仁圭 .
中国专利 :CN100377257C ,2004-12-01
[44]   半导体存储器件、存储模块和存储系统及其操作方法 [P]. 
柳鹤洙 ;
崔周善 ;
黄泓善 .
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[45]   半导体存储器件 [P]. 
野田浩正 ;
藤泽宏树 .
中国专利 :CN1967716B ,2007-05-23
[46]   半导体存储器件 [P]. 
李宰承 ;
朱鲁根 .
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[47]   存储系统和存储器件 [P]. 
肥后丰 ;
细见政功 ;
大森广之 ;
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浅山徹哉 ;
山根一阳 ;
内田裕行 .
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[48]   存储器件和存储系统 [P]. 
金基兴 ;
俞昌植 ;
任政燉 ;
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[49]   存储器件和存储系统 [P]. 
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郑震硕 .
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[50]   半导体存储器件以及包括其的数据存储系统 [P]. 
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金柄宅 ;
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