层叠存储器件和半导体存储系统

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201610445646.X

申请日：

2016-06-20

公开(公告)号：

CN106782641A

公开(公告)日：

2017-05-31

发明(设计)人：

李贤圣郑椿锡

申请人：

申请人地址：

韩国京畿道

IPC主分类号：

G11C11406

IPC分类号：

代理机构：

北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363

代理人：

李少丹;许伟群

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-06-26	授权	授权
2017-05-31	公开	公开
2018-01-30	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):G11C 11/406 申请日:20160620

共 50 条

[1] 层叠存储器件及包括其的半导体存储系统 [P].

金庚焕 ;

李钟天 ;

崔永载 .

中国专利 :CN106782665A ,2017-05-31

[2] 半导体存储器件、半导体存储系统及其驱动方法 [P].

金泰镐 .

韩国专利 :CN112420103B ,2025-07-01

[3] 半导体存储器件、半导体存储系统及其驱动方法 [P].

金泰镐 .

中国专利 :CN112420103A ,2021-02-26

[4] 半导体存储器件和包括半导体存储器件的存储系统 [P].

崔殷硕 ;

吴政锡 .

中国专利 :CN104835525B ,2015-08-12

[5] 半导体存储器件和包括半导体存储器件的存储系统 [P].

金正贤 .

中国专利 :CN106158005B ,2020-09-04

[6] 内部电压发生电路、半导体存储器件和半导体存储系统 [P].

陈炫锺 .

中国专利 :CN104835522B ,2015-08-12

[7] 半导体器件、半导体存储器件和存储系统 [P].

沈荣辅 .

中国专利 :CN105006250B ,2015-10-28

[8] 半导体存储器件、存储系统和操作半导体存储器件的方法 [P].

徐宁焄 ;

朴光一 ;

裴升浚 ;

车相彦 .

中国专利 :CN110148434A ,2019-08-20

[9] 半导体存储器件和具有该半导体存储器件的存储系统 [P].

柳睿信 ;

车相彦 ;

金贤起 ;

辛薰 .

韩国专利 :CN111796963B ,2025-07-11

[10] 半导体存储器件和具有该半导体存储器件的存储系统 [P].

柳睿信 ;

车相彦 ;

金贤起 ;

辛薰 .

中国专利 :CN111796963A ,2020-10-20

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