具有针对静摩擦现象的高鲁棒性的MEMS传感器

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202510116468.5

申请日：

2025-01-24

公开(公告)号：

CN120405180A

公开(公告)日：

2025-08-01

发明(设计)人：

F·里奇尼 G·加特瑞

申请人：

意法半导体国际公司

申请人地址：

瑞士日内瓦

IPC主分类号：

G01P15/125

IPC分类号：

代理机构：

北京市金杜律师事务所 11256

代理人：

王茂华;段丹辉

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-08-19	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):G01P 15/125申请日:20250124
2025-08-01	公开	公开

共 50 条

[1] 高抗静摩擦现象的MEMS惯性传感器 [P].

F·里奇尼 ;

G·加特瑞 ;

S·泽比尼 .

:CN113406355B ,2025-09-19

[2] 高抗静摩擦现象的MEMS惯性传感器 [P].

F·里奇尼 ;

G·加特瑞 ;

S·泽比尼 .

中国专利 :CN113406355A ,2021-09-17

[3] 具有顶帽的鲁棒传感器 [P].

S·E·贝克 ;

R·A·戴维斯 ;

G·莫雷尔斯 ;

C·斯图尔特 ;

Y-F·王 .

中国专利 :CN102305650A ,2012-01-04

[4] 具有高耐粘滞性的MEMS惯性传感器 [P].

G·加特瑞 ;

F·里奇尼 ;

A·托齐奥 .

中国专利 :CN112114163A ,2020-12-22

[5] 具有膜片的MEMS传感器以及用于制造MEMS传感器的方法 [P].

T·弗里德里希 ;

K·德塞尔 ;

C·赫尔梅斯 .

中国专利 :CN113226977A ,2021-08-06

[6] 具有膜片的MEMS传感器以及用于制造MEMS传感器的方法 [P].

T·弗里德里希 ;

K·德塞尔 ;

C·赫尔梅斯 .

德国专利 :CN113226977B ,2024-12-20

[7] MEMS传感器以及提供和运行MEMS传感器的方法 [P].

A·德厄 ;

M·菲尔德纳 ;

A·韦斯鲍尔 .

中国专利 :CN109319727A ,2019-02-12

[8] 实现对于惯性传感器中的电磁干扰的鲁棒性的方案 [P].

G·巴拉钱德兰 ;

V·佩特科夫 .

中国专利 :CN103874926B ,2014-06-18

[9] MEMS传感器和MEMS传感器的制造方法 [P].

纸西大祐 ;

M·W·黑勒 ;

藤田有真 .

日本专利 :CN118339460A ,2024-07-12

[10] MEMS传感器和MEMS传感器的制造方法 [P].

仲谷吾郎 .

中国专利 :CN101353153B ,2009-01-28

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