半导体存储器件和具有该半导体存储器件的存储系统

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202010108158.6

申请日：

2020-02-21

公开(公告)号：

CN111796963B

公开(公告)日：

2025-07-11

发明(设计)人：

柳睿信车相彦金贤起辛薰

申请人：

三星电子株式会社

申请人地址：

韩国京畿道

IPC主分类号：

G06F11/10

IPC分类号：

代理机构：

北京市柳沈律师事务所 11105

代理人：

邵亚丽

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-07-11	授权	授权

共 50 条

[21] 半导体存储器件、半导体器件、存储系统和刷新控制方法 [P].

利穗吉郎 .

中国专利 :CN101211653A ,2008-07-02

[22] 半导体存储器件和制造该半导体存储器件的方法 [P].

拓也二山 ;

边大锡 .

韩国专利 :CN118632536A ,2024-09-10

[23] 半导体存储器件 [P].

藤冈伸也 ;

佐藤光德 .

中国专利 :CN100490010C ,2005-11-23

[24] 半导体存储器件 [P].

金成来 ;

李起准 ;

李明奎 ;

宋英杰 ;

张晋熏 ;

赵诚慧 ;

黄伊萨 .

中国专利 :CN115376602A ,2022-11-22

[25] 半导体存储器件和半导体存储器件测试方法 [P].

中川宏 ;

大石贯时 .

中国专利 :CN100498975C ,2006-09-27

[26] 半导体存储器件和存储器系统 [P].

藤冈伸也 ;

佐藤光德 .

中国专利 :CN101430927A ,2009-05-13

[27] 半导体存储器件和存储器系统 [P].

藤冈伸也 ;

佐藤光德 .

中国专利 :CN101430928A ,2009-05-13

[28] 层叠存储器件和半导体存储系统 [P].

李贤圣 ;

郑椿锡 .

中国专利 :CN106782641A ,2017-05-31

[29] 半导体存储器件和操作半导体存储器件的方法 [P].

郑允敬 ;

秋喆焕 .

中国专利 :CN112837725A ,2021-05-25

[30] 半导体存储器件和操作半导体存储器件的方法 [P].

郑允敬 ;

秋喆焕 .

韩国专利 :CN112837725B ,2025-04-18

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