扩散硅压阻式压力传感器

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN200520101812.1

申请日：

2005-04-25

公开(公告)号：

CN2807229Y

公开(公告)日：

2006-08-16

发明(设计)人：

陈继权赵恒业陈传周陈东红

申请人：

申请人地址：

325105浙江省温州市东瓯工业园区亚龙工业园

IPC主分类号：

G01L118

IPC分类号：

G09B2308

代理机构：

代理人：

法律状态：

专利权的终止

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2013-06-12	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101472522300 IPC(主分类):G01L 1/18 专利号:ZL2005201018121 申请日:20050425 授权公告日:20060816 终止日期:20120425
2006-08-16	授权	授权

共 50 条

[41] 带有屏蔽层的硅压阻式压力传感器芯片 [P].

曹刚 ;

刘胜 ;

汪学方 .

中国专利 :CN103063339A ,2013-04-24

[42] 薄膜式压阻式压力传感器 [P].

雷浩 ;

崔震林 ;

冯长海 ;

孙旭辉 .

中国专利 :CN220625564U ,2024-03-19

[43] 一种硅压阻式压力传感器封装结构 [P].

熊斌 ;

王跃林 .

中国专利 :CN101846569A ,2010-09-29

[44] 硅压阻式压力传感器温度误差修正方法 [P].

孙凤玲 ;

朱晓明 ;

王震 ;

丁文波 ;

李仁刚 ;

刘建伟 ;

王俊巍 ;

马明宇 ;

张卫星 ;

赵瑞堃 .

中国专利 :CN112414594B ,2021-02-26

[45] 一种基于MEMS技术的硅压阻式压力传感器 [P].

唐晓明 .

中国专利 :CN222652411U ,2025-03-21

[46] MEMS硅压阻式气体压力传感器 [P].

张建国 ;

杨格 ;

王海峰 ;

陈建环 ;

郑灿林 .

中国专利 :CN114061824A ,2022-02-18

[47] 一种高性能的硅压阻式压力传感器芯片 [P].

高国民 ;

赵建兵 ;

黄炜 ;

田开芳 ;

陈林玉 ;

牛孟霄 .

中国专利 :CN217442750U ,2022-09-16

[48] 一种扩散硅压力传感器 [P].

曹文君 .

中国专利 :CN213658145U ,2021-07-09

[49] 一种恒温发热的MEMS硅压阻式压力传感器 [P].

胡宗达 ;

彭鹏 ;

李奇思 ;

张坤 ;

宋义雄 .

中国专利 :CN215893844U ,2022-02-22

[50] 一种压阻式压力传感器 [P].

谢小蝶 .

中国专利 :CN210268971U ,2020-04-07

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