一种CMOS图像传感器像素结构

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN201420635775.1

申请日：

2014-10-29

公开(公告)号：

CN204144261U

公开(公告)日：

2015-02-04

发明(设计)人：

郭同辉旷章曲

申请人：

申请人地址：

100085 北京市海淀区上地五街7号昊海大厦二层201室

IPC主分类号：

H01L27146

IPC分类号：

代理机构：

北京凯特来知识产权代理有限公司 11260

代理人：

郑立明;赵镇勇

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2015-02-04	授权	授权
2019-10-18	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 27/146 申请日:20141029 授权公告日:20150204 终止日期:20181029

共 50 条

[11] 一种背照式图像传感器像素结构 [P].

郭同辉 ;

旷章曲 .

中国专利 :CN204179082U ,2015-02-25

[12] 一种CMOS图像传感器像素 [P].

郭同辉 ;

旷章曲 .

中国专利 :CN104135631A ,2014-11-05

[13] 图像传感器的像素结构、图像传感器 [P].

杨瑞坤 .

中国专利 :CN215578562U ,2022-01-18

[14] CMOS图像传感器像素结构及其制备方法、图像传感器 [P].

生驹贵英 ;

深作克彦 .

中国专利 :CN117374089A ,2024-01-09

[15] CMOS图像传感器的像素单元及CMOS图像传感器 [P].

孙德明 .

中国专利 :CN120035242A ,2025-05-23

[16] CMOS图像传感器的像素单元及CMOS图像传感器 [P].

郭同辉 ;

唐冕 ;

陈杰 ;

刘志碧 ;

旷章曲 .

中国专利 :CN103139498B ,2013-06-05

[17] 全局曝光方式的图像传感器像素结构 [P].

郭同辉 ;

旷章曲 .

中国专利 :CN204088323U ,2015-01-07

[18] 全局曝光方式的图像传感器像素结构 [P].

郭同辉 ;

旷章曲 .

中国专利 :CN204088322U ,2015-01-07

[19] CMOS图像传感器的像素结构 [P].

李杰 .

中国专利 :CN210516725U ,2020-05-12

[20] 一种防止图像弥散的图像传感器像素结构 [P].

郭同辉 ;

陈杰 ;

刘志碧 ;

唐冕 ;

旷章曲 .

中国专利 :CN203733799U ,2014-07-23

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