一种MEMS惯性传感器

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN201520456317.6

申请日：

2015-06-29

公开(公告)号：

CN204758628U

公开(公告)日：

2015-11-11

发明(设计)人：

郑国光

申请人：

申请人地址：

261031 山东省潍坊市高新技术开发区东方路268号

IPC主分类号：

G01P15125

IPC分类号：

B81B702 B81C9900

代理机构：

北京博雅睿泉专利代理事务所(特殊普通合伙) 11442

代理人：

马佑平;王昭智

法律状态：

避免重复授权放弃专利权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2016-10-12	避免重复授权放弃专利权	避免重复授予专利权号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101740115911 IPC(主分类):G01P 15/125 专利号:ZL2015204563176 申请日:20150629 授权公告日:20151111 放弃生效日:20161012
2015-11-11	授权	授权
2016-09-28	专利权人的姓名或者名称、地址的变更	专利权人的姓名或者名称、地址的变更号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101739346680 IPC(主分类):G01P 15/125 专利号:ZL2015204563176 变更事项:专利权人变更前:歌尔声学股份有限公司变更后:歌尔股份有限公司变更事项:地址变更前:261031 山东省潍坊市高新技术开发区东方路268号变更后:261031 山东省潍坊市高新技术开发区东方路268号

共 50 条

[1] 一种MEMS惯性传感器及其制造方法 [P].

郑国光 .

中国专利 :CN104891419A ,2015-09-09

[2] 一种MEMS惯性传感器 [P].

郑国光 .

中国专利 :CN204555991U ,2015-08-12

[3] 一种MEMS惯性传感器 [P].

黄晟 ;

蔡光艳 ;

蔡喜元 ;

魏晓莉 ;

贾蔓谷 ;

丁铮 .

中国专利 :CN221686403U ,2024-09-10

[4] 制作MEMS惯性传感器的方法及MEMS惯性传感器 [P].

王志玮 ;

唐德明 ;

张镭 ;

毛剑宏 ;

韩凤芹 .

中国专利 :CN103373698A ,2013-10-30

[5] 一种MEMS惯性传感器芯片模组以及MEMS传感器 [P].

虢晓双 ;

杨靖 ;

张新凯 ;

熊亮 ;

黎傲雪 ;

彭健 .

中国专利 :CN215364898U ,2021-12-31

[6] MEMS压力传感器、MEMS惯性传感器集成结构 [P].

郑国光 .

中国专利 :CN204675826U ,2015-09-30

[7] 一种MEMS惯性传感器及惯性测量装置 [P].

黄晟 ;

蔡光艳 .

中国专利 :CN220625323U ,2024-03-19

[8] MEMS惯性传感器、湿度传感器集成装置 [P].

郑国光 .

中国专利 :CN204758028U ,2015-11-11

[9] 一种应力隔离的MEMS惯性传感器 [P].

郑国光 .

中国专利 :CN204643828U ,2015-09-16

[10] 一种MEMS惯性传感器测试装置 [P].

张伟 ;

万丽霞 ;

张瀚文 .

中国专利 :CN215447957U ,2022-01-07

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