MEMS惯性传感器及应用方法和电子设备

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202010126245.4

申请日：

2020-02-26

公开(公告)号：

CN111208317B

公开(公告)日：

2020-05-29

发明(设计)人：

邹波刘爽黄岩

申请人：

申请人地址：

312030 浙江省绍兴市柯桥区柯桥经济技术开发区柯北大道487号智能创新中心5号楼

IPC主分类号：

G01P15125

IPC分类号：

G01P1518 G01L114 G01L912 G01C1900

代理机构：

上海剑秋知识产权代理有限公司 31382

代理人：

杨飞

法律状态：

著录事项变更

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-06-04	著录事项变更	著录事项变更 IPC(主分类):G01P 15/125 变更事项:申请人变更前:深迪半导体（上海）有限公司变更后:深迪半导体（绍兴）有限公司变更事项:地址变更前:201203 上海市浦东新区环桥路555弄28号变更后:312030 浙江省绍兴市柯桥区柯桥经济技术开发区柯北大道487号智能创新中心5号楼
2020-06-23	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):G01P 15/125 申请日:20200226
2021-07-02	授权	授权
2020-05-29	公开	公开

共 50 条

[1] MEMS惯性传感器和电子设备 [P].

G·加特瑞 ;

F·里奇尼 ;

A·托齐奥 .

中国专利 :CN212568844U ,2021-02-19

[2] MEMS惯性传感器及电子设备 [P].

F·里奇尼 ;

G·加特瑞 ;

S·泽比尼 .

中国专利 :CN215953660U ,2022-03-04

[3] MEMS惯性传感器的标定方法、装置、设备及存储介质 [P].

卢涛 .

中国专利 :CN120467381A ,2025-08-12

[4] 惯性传感器及电子设备 [P].

李诺伦 ;

庄瑞芬 ;

朱启发 .

中国专利 :CN222049073U ,2024-11-22

[5] 一种MEMS惯性传感器及惯性测量装置 [P].

黄晟 ;

蔡光艳 .

中国专利 :CN220625323U ,2024-03-19

[6] 制作MEMS惯性传感器的方法及MEMS惯性传感器 [P].

王志玮 ;

唐德明 ;

张镭 ;

毛剑宏 ;

韩凤芹 .

中国专利 :CN103373698A ,2013-10-30

[7] 传感器元件、惯性传感器和电子设备 [P].

椛泽秀年 ;

加藤祐作 ;

三谷谕司 .

中国专利 :CN109891250B ,2019-06-14

[8] 惯性传感器、电子设备 [P].

朱怀远 ;

贾孟儒 .

中国专利 :CN115727839B ,2025-09-05

[9] 惯性传感器的形成方法、惯性传感器及电子设备 [P].

李哲 ;

庄瑞芬 ;

李诺伦 .

中国专利 :CN120403625A ,2025-08-01

[10] 用于自检MEMS惯性传感器的方法和系统 [P].

W·A·克拉克 .

中国专利 :CN110702141A ,2020-01-17

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