全局曝光方式的图像传感器像素结构

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN201420603373.3

申请日：

2014-10-17

公开(公告)号：

CN204088322U

公开(公告)日：

2015-01-07

发明(设计)人：

郭同辉旷章曲

申请人：

申请人地址：

100085 北京市海淀区上地五街7号昊海大厦二层201室

IPC主分类号：

H01L27146

IPC分类号：

H01L2177

代理机构：

北京凯特来知识产权代理有限公司 11260

代理人：

郑立明;赵镇勇

法律状态：

避免重复授权放弃专利权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2017-09-05	避免重复授权放弃专利权	避免重复授予专利权号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101758604381 IPC(主分类):H01L 27/146 专利号:ZL2014206033733 申请日:20141017 授权公告日:20150107 放弃生效日:20170905
2015-01-07	授权	授权

共 50 条

[41] 图像传感器像素 [P].

T·格蒂斯 .

中国专利 :CN209488695U ,2019-10-11

[42] 像素结构、图像传感器、电子设备 [P].

郭同辉 ;

石文杰 ;

邵泽旭 .

中国专利 :CN217903121U ,2022-11-25

[43] 图像传感器像素及图像传感器 [P].

T·格蒂斯 .

中国专利 :CN206977570U ,2018-02-06

[44] 一种提高阱容量的图像传感器像素 [P].

郭同辉 ;

旷章曲 ;

陈多金 ;

陈杰 ;

刘志碧 ;

唐冕 .

中国专利 :CN204067360U ,2014-12-31

[45] 像素结构、图像传感器、电子设备 [P].

郭同辉 ;

石文杰 ;

邵泽旭 .

中国专利 :CN217306507U ,2022-08-26

[46] 图像传感器的像素结构 [P].

赵立新 ;

张浩然 ;

付文 .

中国专利 :CN113555376B ,2025-04-18

[47] 像素结构及其制造方法、图像传感器 [P].

谢勇 ;

郭先清 ;

刘坤 .

中国专利 :CN110875338B ,2020-03-10

[48] 图像传感器的像素结构 [P].

赵立新 ;

张浩然 ;

付文 .

中国专利 :CN212625579U ,2021-02-26

[49] 图像传感器的像素结构 [P].

赵立新 ;

付文 ;

黄琨 .

中国专利 :CN212967705U ,2021-04-13

[50] 图像传感器的像素结构 [P].

赵立新 ;

张浩然 ;

付文 .

中国专利 :CN113555376A ,2021-10-26

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