全局曝光方式的图像传感器像素结构及其控制方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201410554896.8

申请日：

2014-10-17

公开(公告)号：

CN104282707B

公开(公告)日：

2015-01-14

发明(设计)人：

郭同辉旷章曲

申请人：

申请人地址：

100085 北京市海淀区上地五街7号昊海大厦二层201室

IPC主分类号：

H01L27146

IPC分类号：

H01L2177

代理机构：

北京凯特来知识产权代理有限公司 11260

代理人：

郑立明;赵镇勇

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2015-01-14	公开	公开
2017-09-05	授权	授权
2015-02-11	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101598155267 IPC(主分类):H01L 27/146 专利申请号:2014105548968 申请日:20141017

共 50 条

[41] CMOS图像传感器的像素结构及其制造方法 [P].

余泳 .

中国专利 :CN101789437A ,2010-07-28

[42] 高动态范围图像传感器像素结构 [P].

郭同辉 ;

旷章曲 .

中国专利 :CN204258952U ,2015-04-08

[43] 高动态范围图像传感器像素结构及其操作方法 [P].

郭同辉 ;

旷章曲 .

中国专利 :CN104469195A ,2015-03-25

[44] 全局曝光图像传感器 [P].

任冠京 ;

徐辰 ;

莫要武 ;

侯金剑 .

中国专利 :CN110611782B ,2024-06-18

[45] 全局曝光图像传感器 [P].

任冠京 ;

徐辰 ;

莫要武 ;

侯金剑 .

中国专利 :CN110611782A ,2019-12-24

[46] 扩展动态范围的三晶体管图像传感器像素结构 [P].

郭同辉 ;

旷章曲 .

中国专利 :CN104394338A ,2015-03-04

[47] 扩展动态范围的三晶体管图像传感器像素结构 [P].

郭同辉 ;

旷章曲 .

中国专利 :CN204217043U ,2015-03-18

[48] 高饱和容量的图像传感器像素及其工作方法 [P].

郭同辉 ;

旷章曲 .

中国专利 :CN104218047A ,2014-12-17

[49] 高饱和容量的图像传感器像素 [P].

郭同辉 ;

旷章曲 .

中国专利 :CN204088320U ,2015-01-07

[50] 可变转换增益的图像传感器像素及其工作方法 [P].

郭同辉 ;

旷章曲 .

中国专利 :CN104135633A ,2014-11-05

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