辐射传感器

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200710196673.9

申请日：

2007-12-04

公开(公告)号：

CN101196423A

公开(公告)日：

2008-06-11

发明(设计)人：

T·J·克雷尔纳 P·J·斯特劳布 R·特威尼

申请人：

申请人地址：

美国纽约州

IPC主分类号：

G01K702

IPC分类号：

H01L3534 H01L3532

代理机构：

中国专利代理(香港)有限公司

代理人：

范晓斌;杨松龄

法律状态：

公开

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2008-06-11	公开	公开
2010-09-01	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回号牌文件类型代码:1603 号牌文件序号:101007177322 IPC(主分类):G01K 7/02 专利申请号:2007101966739 公开日:20080611

共 50 条

[1] 辐射传感器 [P].

大卫·米尼基利 ;

米歇尔·托尼奥 ;

弗里德里希·弗里德尔 .

中国专利 :CN107438900A ,2017-12-05

[2] 辐射传感器 [P].

E·芬德雷 .

中国专利 :CN103314281A ,2013-09-18

[3] 辐射传感器 [P].

E·芬德莱 .

中国专利 :CN102538955A ,2012-07-04

[4] 辐射传感器 [P].

L·E·安托努克 .

中国专利 :CN107425020A ,2017-12-01

[5] 辐射传感器 [P].

Ｃ·Ｊ·阿尔德 .

中国专利 :CN1054946C ,1996-08-07

[6] 辐射传感器、晶片、传感器模块和用于制造辐射传感器的方法 [P].

马丁·豪斯纳 ;

于尔根·席尔茨 ;

弗瑞德·普洛茨 ;

赫尔曼·卡拉格左克鲁 .

中国专利 :CN1784355A ,2006-06-07

[7] 光刻设备与辐射传感器及辐射传感器制造方法 [P].

海柯·V·柯克 ;

阿里西·J·范德西斯 .

中国专利 :CN101109908A ,2008-01-23

[8] 集成UV辐射传感器 [P].

G.西斯 ;

M.巴斯 ;

J.科玛 ;

H.普勒斯 ;

M.贾扎耶里法尔 ;

P.布利姆 ;

F.利希纳 ;

G.埃尔姆斯坦纳 ;

F.罗杰 .

中国专利 :CN114846306A ,2022-08-02

[9] 辐射传感器、车辆传感器结构和组装方法 [P].

J.米尔皮德 ;

E.杜鲁普特 ;

Y.维达尔 ;

D.米拉森 .

中国专利 :CN110243469A ,2019-09-17

[10] 辐射传感器、车辆传感器结构和组装方法 [P].

J.米尔皮德 ;

E.杜鲁普特 ;

Y.维达尔 ;

D.米拉森 .

法国专利 :CN110243469B ,2024-01-02

← 1 2 3 4 5 →