无图像拖尾的CMOS图像传感器像素结构

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN201420854026.8

申请日：

2014-12-29

公开(公告)号：

CN204289451U

公开(公告)日：

2015-04-22

发明(设计)人：

郭同辉旷章曲

申请人：

申请人地址：

100085 北京市海淀区上地五街7号昊海大厦二层201室

IPC主分类号：

H01L27146

IPC分类号：

代理机构：

北京凯特来知识产权代理有限公司 11260

代理人：

郑立明;赵镇勇

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2015-04-22	授权	授权
2019-12-13	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 27/146 申请日:20141229 授权公告日:20150422 终止日期:20181229

共 50 条

[21] CMOS图像传感器的图像像素 [P].

朴得熙 ;

崔愿太 ;

姜信在 ;

高主烈 .

中国专利 :CN1885913A ,2006-12-27

[22] CMOS图像传感器 [P].

赵立新 ;

霍介光 .

中国专利 :CN202585419U ,2012-12-05

[23] 一种CMOS图像传感器像素 [P].

郭同辉 ;

旷章曲 .

中国专利 :CN204180172U ,2015-02-25

[24] CMOS图像传感器的像素结构及其形成方法 [P].

罗文哲 ;

王林 ;

汪立 .

中国专利 :CN103413817A ,2013-11-27

[25] CMOS图像传感器的像素结构及其形成方法 [P].

罗文哲 ;

王林 ;

汪立 .

中国专利 :CN103413816A ,2013-11-27

[26] CMOS图像传感器的像素结构 [P].

李杰 .

中国专利 :CN112563293A ,2021-03-26

[27] 分离SEL CMOS图像传感器像素 [P].

高云飞 ;

宇鑫·德斯蒙德·张 ;

吴泰锡 ;

萧锦文 .

中国专利 :CN114567737A ,2022-05-31

[28] 非线性CMOS图像传感器像素 [P].

郭同辉 ;

旷章曲 ;

陈多金 ;

陈杰 ;

刘志碧 ;

唐冕 .

中国专利 :CN204013848U ,2014-12-10

[29] 用于CMOS图像传感器的像素单元 [P].

T·C·冯 ;

Y·M·王 .

韩国专利 :CN118016682A ,2024-05-10

[30] 一种防止图像弥散的图像传感器像素结构 [P].

郭同辉 ;

陈杰 ;

刘志碧 ;

唐冕 ;

旷章曲 .

中国专利 :CN203733799U ,2014-07-23

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