用于MEMS传感器器件的晶片级封装及对应制造工艺

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201910613944.9

申请日：

2015-09-25

公开(公告)号：

CN110329983A

公开(公告)日：

2019-10-15

发明(设计)人：

C·卡奇雅 D·O·韦拉 D·阿吉厄斯 M·斯皮特里

申请人：

申请人地址：

马耳他基尔科普

IPC主分类号：

B81B700

IPC分类号：

B81C100 H01L2160 H01L2331

代理机构：

北京市金杜律师事务所 11256

代理人：

王茂华;张宁

法律状态：

公开

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-10-15	公开	公开
2019-11-08	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):B81B 7/00 申请日:20150925

共 50 条

[21] 具有传感器的晶片级芯片尺寸封装器件 [P].

栾竟恩 .

中国专利 :CN215869349U ,2022-02-18

[22] MEMS器件的封装相容晶片级封盖 [P].

P·A·科尔 ;

R·萨哈 ;

N·弗里兹 .

中国专利 :CN104093662A ,2014-10-08

[23] 用于图像传感器件的制造工艺 [P].

黄双武 ;

刘辰 ;

黄麦瑞 ;

陈洁 .

中国专利 :CN105405853B ,2016-03-16

[24] 用于MEMS传感器的封装 [P].

奇耶尔克·霍克斯特拉 .

中国专利 :CN106794980A ,2017-05-31

[25] 制造晶片级封装的方法及由此制造的晶片级封装 [P].

金钟薰 ;

金大元 ;

崔亨硕 ;

其他发明人请求不公开姓名 .

中国专利 :CN107546134A ,2018-01-05

[26] 用于制造MEMS传感器的方法 [P].

S·舒勒-瓦特金斯 ;

D·豪格 ;

T·亨 .

中国专利 :CN112789238A ,2021-05-11

[27] 用于制造MEMS传感器的方法 [P].

D·豪格 ;

T·弗里德里希 ;

T·亨 .

中国专利 :CN110844877A ,2020-02-28

[28] 用于制造MEMS传感器的方法 [P].

D·豪格 ;

T·弗里德里希 ;

T·亨 .

德国专利 :CN110844877B ,2024-02-13

[29] 用于制造MEMS传感器的方法 [P].

D·豪格 ;

M·克瑙斯 ;

T·亨 .

德国专利 :CN110937569B ,2024-07-23

[30] 用于制造MEMS传感器的方法 [P].

D·豪格 ;

M·克瑙斯 ;

T·亨 .

中国专利 :CN110937569A ,2020-03-31

← 1 2 3 4 5 →