MEMS惯性传感器、惯性测量单元及惯性导航系统

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202010195682.1

申请日：

2020-03-19

公开(公告)号：

CN113494908A

公开(公告)日：

2021-10-12

发明(设计)人：

胡启方徐景辉李展信孙丰沛

申请人：

申请人地址：

518129 广东省深圳市龙岗区坂田华为总部办公楼

IPC主分类号：

G01C2118

IPC分类号：

B81B702 B81B700

代理机构：

北京龙双利达知识产权代理有限公司 11329

代理人：

王雷;时林

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-10-29	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):G01C 21/18 申请日:20200319
2021-10-12	公开	公开

共 50 条

[1] MEMS惯性传感器、惯性测量单元及惯性导航系统 [P].

胡启方 ;

徐景辉 ;

李展信 ;

孙丰沛 .

中国专利 :CN113494908B ,2024-11-22

[2] 用于惯性导航系统的双惯性测量单元 [P].

刘权威 ;

姚卓 ;

崔岩 .

中国专利 :CN113874680A ,2021-12-31

[3] 一种MEMS惯性传感器及惯性测量装置 [P].

黄晟 ;

蔡光艳 .

中国专利 :CN220625323U ,2024-03-19

[4] 惯性传感器及惯性测量装置 [P].

木暮翔太 ;

松浦由幸 .

中国专利 :CN115494261A ,2022-12-20

[5] 芯片级惯性传感器和惯性测量单元 [P].

营·利亚·李 .

英国专利 :CN117813477A ,2024-04-02

[6] 制作MEMS惯性传感器的方法及MEMS惯性传感器 [P].

王志玮 ;

唐德明 ;

张镭 ;

毛剑宏 ;

韩凤芹 .

中国专利 :CN103373698A ,2013-10-30

[7] 惯性传感器以及惯性测量装置 [P].

永田和幸 .

中国专利 :CN115342795A ,2022-11-15

[8] 惯性传感器以及惯性测量装置 [P].

泷泽照夫 ;

永田和幸 ;

田中悟 ;

山崎成二 .

日本专利 :CN113899354B ,2024-03-08

[9] 惯性传感器和惯性测量装置 [P].

小林知永 .

日本专利 :CN118771299A ,2024-10-15

[10] 抗高过载MEMS惯性测量单元和惯性组合导航系统 [P].

南耀仕 ;

金明路 ;

乜恺 ;

李正伟 ;

冯楠 ;

周长满 ;

郑鹏飞 ;

李若丹 .

中国专利 :CN120008598A ,2025-05-16

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