INTERNAL FIELD EMISSION AT NARROW P-N JUNCTIONS IN INDIUM ANTIMONIDE

被引：21

作者：

CHYNOWETH, AG

LOGAN, RA

机构：

来源：

PHYSICAL REVIEW | 1960年 / 118卷 / 06期

关键词：

D O I：

10.1103/PhysRev.118.1470

中图分类号：

O4 [物理学];

学科分类号：

0702 ;

摘要：

引用

页码：1470 / 1473

页数：4

共 10 条

[1] INTERNAL FIELD EMISSION IN SILICON P-N JUNCTIONS [J].

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