热丝CVD方法中气体状态参数的二维模拟计算

被引：2

作者：

汪爱英

孙超

黄荣芳

闻立时

机构：

[1] 中国科学院金属研究所,中国科学院金属研究所,中国科学院金属研究所,中国科学院金属研究所沈阳市

来源：

材料研究学报 | 2003年 / 04期

关键词：

材料科学基础学科; 空间场; 模拟计算; 金刚石薄膜; 热丝化学气相沉积;

D O I：

暂无

中图分类号：

O484.1 [薄膜的生长、结构和外延];

学科分类号：

080501 ; 1406 ;

摘要：

使用在连续介质中建立的二维流场数学模型,模拟计算了在用HFCVD方法生长金刚石薄膜过程中影响气体温度分布的多个沉积工艺参数,研究了气体的速度和体密度的空间分布。结果表明,在优化工艺参数条件下,高温热丝的热阻塞作用导致气体状态参数的不均匀空间分布;在热丝附近气体的速度大而靠近反应腔体侧壁处小;热丝附近处气体体密度减小而靠近冷反应腔体例壁处增加,采用绝热或高等温边界的反应腔管道壁可以消除气体的热绕流现象,有利于大面积金刚石薄膜的快速均匀生长。

引用

页码：345 / 352

页数：8

共 7 条

[1] HFCVD金刚石薄膜温度场的数值研究 [J].

汪爱英 ;

孙超 ;

邹友生 ;

黄荣芳 ;

闻立时 .

金属学报, 2002, (11) :1228-1232

[2] 热丝化学气相沉积大面积金刚石膜温度场的模拟计算 [J].

汪爱英 ;

孙超 ;

王冰 ;

宫骏 ;

黄荣芳 ;

闻立时 ;

不详 .

金属学报 , 2001, (11) :1217-1222

[3] In situ analysis of gaseous species for chemical vapor deposition diamond synthesis and the possible reaction model [J].

Uede, M ;

Takagi, Y .

JOURNAL OF MATERIALS RESEARCH, 2001, 16 (11) :3069-3072

[4] Influence of quantity and energy of the particles in gas phase on nucleation of the HFCVD of diamond films [J].

Song, GH ;

Sun, C ;

Wang, B ;

Wang, AY ;

Huang, RF ;

Wen, LS .

MATERIALS LETTERS, 2001, 48 (01) :8-14

[5]

Experimental data vs. 3-D model calculations of HFCVD processes: correlations and discrepancies[J] . Yu.A. Mankelevich,N.V. Suetin,M.N.R. Ashfold,J.A. Smith,E. Cameron.Diamond & Related Materials . 2001 (3)

[6]

Heat transfer simulation of HFCVD and fundamentals of diamond vapor growth reactor designing[J] . G.H Song,C Sun,R.F Huang,L.S Wen,C.X Shi.Surface & Coatings Technology . 2000 (1)

[7] Effects of density of gas flow rate on large area diamond growth in hot filament chemical vapor deposition [J].

Yu, J ;

Huang, RF ;

Wen, LS ;

Shi, CX .

JOURNAL OF MATERIALS SCIENCE LETTERS, 1998, 17 (12) :1011-1013

← 1 →