电针督脉穴对局灶性脑缺血再灌注大鼠大脑基因表达谱的影响

目的:应用基因芯片技术研究电针对局灶性脑缺血再灌注大鼠脑组织基因表达谱的影响。在分子水平探讨电针治疗脑缺血再灌注损伤的作用机制。方法:大脑中动脉埋线法制备大鼠脑缺血再灌注模型,缺血2h再灌注24h后取受损脑组织提取总RNA。用大鼠全基因组寡核苷酸微阵列芯片检测电针"水沟"、"百会"穴对局灶性脑缺血再灌注大鼠大脑基因表达谱的影响。结果:局灶性脑缺血再灌注大鼠与假手术组大鼠脑组织基因表达谱相比,有175个差异表达基因,其中115个基因表达增高,60个基因表达下调;电针组与局灶性脑缺血再灌注大鼠脑组织基因表达谱相比,有74个差异表达基因,其中26个基因表达增高,48个基因表达下调。结论:本研究筛选出大量的差异表达基因,这些基因可能参与脑缺血再灌后脑损伤的发生发展过程,并参与了针灸抗损伤的机制。