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一种适用于半导体工艺的斜面光刻胶掩膜的制备方法

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202411916516.0
申请日：
2024-12-24
公开(公告)号：
CN119644668A
公开(公告)日：
2025-03-18
发明(设计)人：
刘恒 韩超 迟奔奔 邢雅丽
申请人：
西安电子科技大学芜湖研究院 西安电子科技大学
申请人地址：
241002 安徽省芜湖市弋江区高新技术产业开发区科技产业园7号楼
IPC主分类号：
G03F1/76
IPC分类号：
G03F7/095 G03F7/16 G03F7/40 G03F7/20
代理机构：
西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙) 61230
代理人：
王丹
法律状态：
公开
国省代码：
陕西省 西安市
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2025-03-18 公开 公开
2025-04-04 实质审查的生效 实质审查的生效IPC(主分类):G03F 1/76申请日:20241224
共 50 条
[1]   一种制备球状光刻胶掩膜的方法 [P]. 
王德晓 ;
刘存志 ;
王成新 ;
沈燕 ;
任忠祥 .
中国专利 :CN103367558B ,2013-10-23
[2]   一种高效剥离光刻胶掩膜的光刻工艺方法 [P]. 
潘英飞 ;
耿宁宁 .
中国专利 :CN105223788A ,2016-01-06
[3]   一种适用于半导体黄光烘烤光刻胶的烤箱托盘 [P]. 
周小琳 .
中国专利 :CN217289132U ,2022-08-26
[4]   用于半导体封装工艺的负性光刻胶 [P]. 
向文胜 ;
朱坤 ;
陆兰 ;
张兵 ;
赵建龙 .
中国专利 :CN109541889B ,2019-03-29
[5]   一种用于半导体光刻胶的清洗方法 [P]. 
薛弘宇 ;
顾仁宝 ;
李伟东 ;
朱文健 ;
余箫伟 ;
魏韶华 ;
陆子阳 .
中国专利 :CN113970880A ,2022-01-25
[6]   一种用于半导体光刻胶的清洗方法 [P]. 
薛弘宇 ;
顾仁宝 ;
李伟东 ;
朱文健 ;
余箫伟 ;
魏韶华 ;
陆子阳 .
中国专利 :CN113970880B ,2024-05-28
[7]   一种适用半导体领域的光刻胶剥离液及制备方法 [P]. 
尹淞 ;
冯继恒 ;
鲁晨泓 ;
张建 ;
刘江华 .
中国专利 :CN112711176A ,2021-04-27
[8]   半导体基底光刻胶的去除方法和光刻胶的图案化方法 [P]. 
马欢 ;
陈凯 ;
罗波涛 ;
殷瑞腾 .
中国专利 :CN120578014A ,2025-09-02
[9]   一种光刻方法以及光刻胶掩膜 [P]. 
请求不公布姓名 ;
张辉 .
中国专利 :CN119024645A ,2024-11-26
[10]   光刻胶图形化方法、半导体结构的制备方法及半导体设备 [P]. 
不公告发明人 .
中国专利 :CN107367910B ,2017-11-21
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