一种复合传感器

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201610237674.2

申请日：

2016-04-15

公开(公告)号：

CN105783998A

公开(公告)日：

2016-07-20

发明(设计)人：

周志健朱二辉陈磊杨力建邝国华

申请人：

申请人地址：

523808 广东省东莞市松山湖高新技术产业开发区创新科技园控股大厦3楼

IPC主分类号：

G01D2102

IPC分类号：

代理机构：

北京品源专利代理有限公司 11332

代理人：

孟金喆;胡彬

法律状态：

发明专利申请公布后的驳回

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-08-02	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):G01D 21/02 申请公布日:20160720
2016-07-20	公开	公开
2016-08-17	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101674702100 IPC(主分类):G01D 21/02 专利申请号:2016102376742 申请日:20160415

共 50 条

[1] 一种复合传感器及其制造方法 [P].

周志健 ;

朱二辉 ;

陈磊 ;

杨力建 ;

于洋 ;

邝国华 .

中国专利 :CN106526232A ,2017-03-22

[2] 一种复合传感器及其制造方法 [P].

周志健 ;

朱二辉 ;

陈磊 ;

杨力建 ;

于洋 ;

邝国华 .

中国专利 :CN106768593A ,2017-05-31

[3] 一种MEMS集成复合传感器及其加工方法 [P].

周志健 ;

陈磊 ;

邝国华 .

中国专利 :CN105174201B ,2015-12-23

[4] 一种电容式复合传感器及其制造方法 [P].

朱二辉 ;

周志健 ;

陈磊 ;

杨力建 ;

邝国华 .

中国专利 :CN106290985A ,2017-01-04

[5] 一种复合传感器及制造方法 [P].

朱二辉 ;

周志健 ;

陈磊 ;

杨力建 ;

邝国华 .

中国专利 :CN105905866A ,2016-08-31

[6] 复合传感器 [P].

大越伟生 .

中国专利 :CN101189489A ,2008-05-28

[7] 一种复合传感器及其加工方法、TPMS芯片 [P].

阮盛杰 .

中国专利 :CN112504548A ,2021-03-16

[8] 一种复合传感器 [P].

张文明 ;

田琴 ;

何江宇 ;

周雪磊 ;

高翔 ;

陶炎 .

中国专利 :CN111220213A ,2020-06-02

[9] 一种复合传感器 [P].

张文明 ;

田琴 ;

何江宇 ;

周雪磊 ;

高翔 ;

陶炎 .

中国专利 :CN211373701U ,2020-08-28

[10] 一种复合传感器 [P].

杨俊飞 ;

李光明 ;

金维国 .

中国专利 :CN204389072U ,2015-06-10

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