栅氧化层完整性测试结构

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN201620541909.2

申请日：

2016-06-02

公开(公告)号：

CN205720547U

公开(公告)日：

2016-11-23

发明(设计)人：

袁芳张冠董燕

申请人：

申请人地址：

300385 天津市西青区中国天津市西青经济开发区兴华道19号

IPC主分类号：

G01R3126

IPC分类号：

H01L23544

代理机构：

上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237

代理人：

屈蘅;李时云

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2016-11-23	授权	授权

共 50 条

[1] 栅氧化层完整性测试结构及测试方法 [P].

廖淼 .

中国专利 :CN104701298A ,2015-06-10

[2] 用于测试栅氧化层完整性的矩阵型测试结构 [P].

简维廷 ;

郭强 ;

江顺旺 ;

赵永 .

中国专利 :CN101281897A ,2008-10-08

[3] 半导体器件栅氧化层完整性的测试结构 [P].

高超 ;

沈玺 .

中国专利 :CN101819941A ,2010-09-01

[4] 半导体器件栅氧化层完整性的测试结构 [P].

高超 .

中国专利 :CN101800212A ,2010-08-11

[5] 半导体器件栅氧化层完整性的测试结构 [P].

高超 .

中国专利 :CN101853843B ,2010-10-06

[6] 一种栅氧化层完整性的测试结构及测试方法 [P].

许晓锋 ;

宋永梁 .

中国专利 :CN105097782A ,2015-11-25

[7] 栅氧化层和介质层完整性的测试结构及测试方法 [P].

周清华 ;

杨莉娟 ;

何莲群 .

中国专利 :CN102097413B ,2011-06-15

[8] 栅氧完整性测试结构 [P].

郭彬 .

中国专利 :CN119133153A ,2024-12-13

[9] 栅氧完整性测试结构 [P].

郭彬 .

中国专利 :CN119133153B ,2025-03-18

[10] 用于并行测试系统的栅氧化层完整性的测试结构 [P].

许晓锋 ;

宋永梁 .

中国专利 :CN105448756B ,2016-03-30

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