腔式黑体辐射源以及腔式黑体辐射源的制备方法

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专利类型
发明
申请号
CN201810027421.1
申请日
2018-01-11
公开(公告)号
CN110031105A
公开(公告)日
2019-07-19
发明(设计)人
魏洋 王广 范守善
申请人
申请人地址
100084 北京市海淀区清华大学清华-富士康纳米科技研究中心401室
IPC主分类号
G01J500
IPC分类号
G01J552
代理机构
代理人
法律状态
公开
国省代码
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共 50 条
[1]   腔式黑体辐射源以及腔式黑体辐射源的制备方法 [P]. 
魏洋 ;
王广 ;
范守善 .
中国专利 :CN110031117A ,2019-07-19
[2]   腔式黑体辐射源以及腔式黑体辐射源的制备方法 [P]. 
魏洋 ;
王广 ;
范守善 .
中国专利 :CN110031118A ,2019-07-19
[3]   腔式黑体辐射源 [P]. 
魏洋 ;
王广 ;
范守善 .
中国专利 :CN110031116A ,2019-07-19
[4]   黑体辐射源及黑体辐射源的制备方法 [P]. 
魏洋 ;
王广 ;
范守善 .
中国专利 :CN110031108A ,2019-07-19
[5]   黑体辐射源及黑体辐射源的制备方法 [P]. 
魏洋 ;
王广 ;
范守善 .
中国专利 :CN110031109A ,2019-07-19
[6]   黑体辐射源及黑体辐射源的制备方法 [P]. 
魏洋 ;
王广 ;
范守善 .
中国专利 :CN110031107B ,2019-07-19
[7]   黑体辐射源 [P]. 
魏洋 ;
王广 ;
范守善 .
中国专利 :CN110031106A ,2019-07-19
[8]   黑体辐射源 [P]. 
高嵩 .
中国专利 :CN203216615U ,2013-09-25
[9]   黑体辐射源 [P]. 
吕明义 ;
司斌 .
中国专利 :CN2212245Y ,1995-11-08
[10]   黑体辐射源 [P]. 
秦大斌 ;
宋广亮 .
中国专利 :CN210689817U ,2020-06-05