半导体装置以及半导体模块

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201880049400.8

申请日：

2018-01-23

公开(公告)号：

CN110998832A

公开(公告)日：

2020-04-10

发明(设计)人：

六分一穗隆佐藤邦孝北井清文三田泰之

申请人：

申请人地址：

日本东京

IPC主分类号：

H01L2328

IPC分类号：

H01L2348 H01L2507 H01L2518

代理机构：

北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112

代理人：

何立波;张天舒

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-05-05	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 23/28 申请日:20180123
2020-04-10	公开	公开

共 50 条

[1] 半导体模块以及半导体装置 [P].

猪之口诚一郎 ;

饭塚新 .

中国专利 :CN105720046A ,2016-06-29

[2] 半导体装置以及半导体模块 [P].

米山玲 ;

冈部浩之 ;

西田信也 ;

小原太一 .

中国专利 :CN104103603B ,2014-10-15

[3] 半导体模块以及半导体装置 [P].

长谷川真纪 ;

横山脩平 ;

柴田祥吾 ;

森茂 ;

岩上彻 .

中国专利 :CN210296341U ,2020-04-10

[4] 半导体装置、其制造方法以及半导体模块 [P].

横山吉典 ;

藤田淳 ;

筱原利彰 ;

小林浩 .

中国专利 :CN110383439A ,2019-10-25

[5] 半导体装置以及半导体模块 [P].

筒井孝幸 ;

斋藤祐一 .

中国专利 :CN114628357A ,2022-06-14

[6] 半导体模块以及半导体装置 [P].

河内勇树 ;

北井清文 .

中国专利 :CN104272454A ,2015-01-07

[7] 半导体装置以及半导体模块 [P].

后藤聪 ;

青池将之 ;

深泽美纪子 .

日本专利 :CN114649307B ,2025-09-23

[8] 半导体模块以及半导体装置 [P].

望月阳 ;

富士和则 .

日本专利 :CN118435347A ,2024-08-02

[9] 半导体装置以及半导体模块 [P].

安田英司 ;

今井俊和 ;

大河亮介 ;

今村武司 ;

坂本光章 ;

吉田一磨 ;

平子正明 ;

升元康之 ;

曾田茂稔 ;

太田朋成 .

中国专利 :CN112271178B ,2021-01-26

[10] 半导体装置以及半导体模块 [P].

富士和则 .

日本专利 :CN118805253A ,2024-10-18

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