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半导体科学技术发展的历史回顾
被引:5
作者
:
彭英才
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
河北大学电子与信息工程系
彭英才
机构
:
[1]
河北大学电子与信息工程系
来源
:
物理
|
1994年
/ 02期
关键词
:
化合物半导体;
电子气;
载流子;
器件;
应变层超晶格;
异质结;
半导体结;
表面原子结构;
非晶态半导体材料;
物理;
二维激子;
量子阱红外探测器;
光学光刻技术;
人工材料;
科学技术发展;
量子霍耳效应;
量子化霍耳效应;
超薄层外延;
共振隧穿效应;
D O I
:
暂无
中图分类号
:
O649 [半导体化学];
学科分类号
:
080501 ;
摘要
:
半导体科学技术是20世纪中最伟大和最重要的科技成就之一。在高新技术迅速发展的今天,重温其发展历程,总结其发展规律和认识其发展特点,具有重要的现实意义。作者着重评述了近半个世纪以来,半导体科学技术在材料、物理、器件与工艺四个领域内所取得的一系列重大进展。
引用
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页码:121 / 128+105
页数:9
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共 4 条
[1]
量子阱红外探测器
[J].
论文数:
引用数:
h-index:
机构:
徐士杰
;
江德生
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
西安交通大学电子工程系
江德生
.
红外与毫米波学报,
1992,
(04)
:317
-326
[2]
半导体超晶格与量子阱及其研究进展
[J].
彭英才
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
河北大学
彭英才
.
自然杂志,
1992,
(05)
:329
-335
[3]
半导体物理进展与教学[M]. 高等教育出版社 , 黄昆等著, 1989
[4]
非晶态半导体物理学[M]. 高等教育出版社 , 何宇亮等编, 1989
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共 4 条
[1]
量子阱红外探测器
[J].
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机构:
徐士杰
;
江德生
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0
机构:
西安交通大学电子工程系
江德生
.
红外与毫米波学报,
1992,
(04)
:317
-326
[2]
半导体超晶格与量子阱及其研究进展
[J].
彭英才
论文数:
0
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0
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0
机构:
河北大学
彭英才
.
自然杂志,
1992,
(05)
:329
-335
[3]
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