一般缓冲电路的模型及三电平IGBT变流器内外元件电压不平衡机理

被引:22
作者
赵正毅
魏念荣
赵良炳
韩英铎
机构
[1] 清华大学电机系柔性交流输电研究所!北京
关键词
缓冲电路; 绝缘栅双极型晶体管(IGBT); 三电平变流器; 电压不平衡;
D O I
10.13334/j.0258-8013.pcsee.2000.06.008
中图分类号
TM46 [变流器];
学科分类号
080801 ;
摘要
通过对斩波器中缓冲电路工作过程的分析 ,提出了一般缓冲电路的模型。根据这个模型 ,分析了中点箝位式(NPC)三电平变流器中内外绝缘栅双极型晶体管 (IGBT)电压不平衡的原因。并指出电压不平衡是由于NPC三电平的特殊结构和电路中的杂散电感造成的。实验波形证明了模型的正确性和分析的有效性。
引用
收藏
页码:31 / 35
页数:5
相关论文
共 3 条
[1]  
Snubber circuit for high-power gate turn-off thyristors. Hiromichi Ohashi. IEEE Transactions on Industrial Electronics . 1983
[2]  
A new snubber circuit for high efficiency and overvoltage limitation in three-level GTO inverters. Jae-Hyeong Suh,Bum-Seok Suh,et al. IEEE Transactions on Industrial Electronics . 1997
[3]  
A new neutral point clamped PWM inverter. Nabae A,Takahashi I,Akagi H. IEEE Trans . 1981