基于石墨烯掺杂金纳米粒子的灭除威分子印迹电化学传感器的制备与性能研究

以灭除威（XMC）为模板分子,甲基丙烯酸（MAA）为功能单体,合成的马来松香丙烯酸乙二醇酯（EGMRA）为交联剂,在石墨烯掺杂金纳米粒子修饰玻碳电极表面合成分子印迹膜,研制了测定XMC的分子印迹电化学传感器。采用扫描电镜（SEM）对传感膜的形貌进行表征,通过循环伏安法（CV）、电化学阻抗谱法（EIS）和差示脉冲伏安法（DPV）对传感器的性能进行研究。DPV测试表明,XMC的浓度在1.0×10-7～2.0×10-5mol·L-1范围内呈良好线性关系,相关系数（r）为0.997 9,检出限（S/N=3）为1.5×10-8mol·L-1。选择性识别实验结果表明,XMC印迹敏感膜的印迹因子（β）达到2.94,相对于干扰物的选择因子（α）均大于1,对与XMC结构相似的速灭威的选择因子达到2.39,说明该印迹膜对XMC具有良好的选择性。识别过程动力学研究结果表明,石墨烯掺杂金纳米粒子分子印迹传感器的动力学结合速率常数k为73.05 s。将此传感器应用于蔬菜样品的加标回收检测,加标回收率为95.4%108.0%。