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纳米量子器件研究的若干前沿问题
被引:5
作者
:
论文数:
引用数:
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机构:
彭英才
赵新为
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0
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机构:
河北大学电子信息工程学院,日本东京理科大学理学部,中国科学院微电子研究中心
赵新为
刘明
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0
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机构:
河北大学电子信息工程学院,日本东京理科大学理学部,中国科学院微电子研究中心
刘明
机构
:
[1]
河北大学电子信息工程学院,日本东京理科大学理学部,中国科学院微电子研究中心
来源
:
自然杂志
|
2003年
/ 03期
关键词
:
半导体纳米结构;
量子力学效应;
纳米量子器件;
新技术革命;
D O I
:
暂无
中图分类号
:
TN405 [制造工艺];
学科分类号
:
080903 ;
1401 ;
摘要
:
纳米量子器件是目前纳米物理学与纳米电子学领域中最重要的研究方向 .人们预测 ,该领域中的任何一项具有实质意义的突破性进展 ,都极有可能在全球范围内触发一场新的信息技术革命 .所谓纳米量子器件 ,是指基于各种量子力学现象 ,如量子尺寸效应、量子隧穿效应、库仑阻塞效应、光学非线性效应以及量子信息处理等设计并制作的固态纳米电子器件、光电子器件、集成电路乃至量子计算机等 .本文将着重介绍目前纳米量子器件研究中的若干活跃前沿以及我们应采取的对策 .
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[1]
电子体系与光子体系
[J].
徐少辉
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;
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低维半导体结构材料及其器件应用研究进展
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王占国
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世界科技研究与发展,
2000,
(01)
:1
-8
[4]
裕之. 电子通信学会志[日文] . 1997
[5]
OnoY .etal. IEEETrans.ElectronDevices . 2000
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[1]
电子体系与光子体系
[J].
徐少辉
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复旦大学应用表面物理国家重点实验室
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[2]
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[J].
李国华
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[J].
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世界科技研究与发展,
2000,
(01)
:1
-8
[4]
裕之. 电子通信学会志[日文] . 1997
[5]
OnoY .etal. IEEETrans.ElectronDevices . 2000
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