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脑局部缺血后C-fos基因表达的意义及机理研究
被引：5
作者：
王占祥
章翔
易声禹
费舟
张志文
张剑宁
机构：
[1] 西安第四军医大学西京医院神经外科
来源：
关键词：
C－fos基因,脑缺血,氯胺酮;
D O I：
暂无
中图分类号：
R743.32 [脑血栓形成];
学科分类号：
1002 ;
摘要：
目的：探讨脑局部缺血后神经元损伤的分子机制。方法：经颞骨开窗结扎大鼠大脑中动脉，制成脑局部缺血模型，采用地高辛标记Ｃ－ｆｏｓ探针原位杂交法，观察脑缺血后大脑皮层及海马等区域Ｃ－ｆｏｓ基因的表达状况，用Ｃ－ｆｏｓ阳性细胞密度作定量研究指标。结果：脑缺血组、氯胺酮组和对照组，在大脑皮层及海马区域Ｃ－ｆｏｓ阳性细胞分别呈高密度、低密度和散在分布，三组间相差显著（Ｐ＜０．０１）。在脑的其余部位，包括丘脑、脑干、小脑等区域，三组Ｃ－ｆｏｓ阳性细胞均呈散在分布，无组间差异。结论：脑局部缺血可诱发大脑皮层及海马Ｃ－ｆｏｓ基因表达，Ｃ－ｆｏｓ基因表达可能是缺血致神经元损伤的分子机制之一；氯胺酮对脑缺血后Ｃ－ｆｏｓ基因表达有部分抑制作用；ＮＭＤＡ受体激活可能参与了缺血后Ｃ－ｆｏｓ基因表达过程
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