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电针对大鼠局灶脑缺血再灌注后脑内血管生长因子和血管抑制因子表达的影响
被引：37
作者：
马璟曦
罗勇
机构：
[1] 重庆医科大学附属第一医院神经内科,重庆市神经病学重点实验室
来源：
关键词：
电针;
再灌注损伤/针灸疗法;
血管内皮生长因子类/针灸效应;
基因表达/针灸效应;
D O I：
10.13703/j.0255-2930.2007.02.021
中图分类号：
R245 [针灸学、针灸疗法];
学科分类号：
100512 ;
摘要：
目的:探讨电针对缺血性脑卒中的作用机制。方法:线栓法制备Wistar大鼠局灶脑缺血再灌注模型。将大鼠随机分为正常组、模型组、电针组。选取双侧“合谷”穴为电针穴位,采用原位杂交法检测血管内皮生长因子(VEGF)mRNA的表达,免疫组化法检测血管生成素(Ang-1)和内皮抑素(Endostatin)蛋白的表达。结果:模型组VEGFmRNA、Ang-1蛋白、Endostatin蛋白的表达较正常组增加(P<0·05),电针组VEGFmRNA、Ang-1蛋白比模型组增加更明显(P<0·05),而En-dostatin蛋白表达增加较模型组明显下降,差异有显著性意义(P<0·05)。结论:电针可能通过上调血管生长因子和下调血管抑制因子的表达来促进局灶脑缺血再灌注后的血管新生。
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