高压下氮化氙电子结构和超导性的第一性原理研究（英文）

被引：0

作者：

赵爽

高娟

焦振

机构：

[1] 西南交通大学物理科学与技术学院

来源：

原子与分子物理学报 | 2026年 / 43卷 / 02期

关键词：

第一性原理计算; XeN3; XeN6; 电子性质; 超导性;

D O I：

10.19855/j.1000-0364.2026.024003

中图分类号：

O469 [凝聚态物理学];

学科分类号：

070205 [凝聚态物理];

摘要：

基于密度泛函理论的第一性原理计算方法，确定了XeN3和XeN6的高压相图，并计算了高压下的电子性质以及超导性质.计算结果表明，在各自的最低稳定压力点下，XeN3是带隙为1.64 eV的直接带隙半导体；XeN6是间接带隙，带隙值为1.45 eV,并且随着压力的增加金属化.态密度表明N-2p轨道和Xe-5p轨道间存在较强的耦合作用，并且费米能级处附近都主要由N-2p和Xe-5p贡献.此外，发现金属化后XeN6在高压下是超导体，并且超导转变温度与压力线性相关.

引用

页码：113 / 121

页数：9

共 30 条

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