影响非易失性内存系统性能的因素分析

被引：7

作者：

夏飞 ^{[1
,2
]}

蒋德钧 ^{[1
]}

熊劲 ^{[1
]}

机构：

[1] 中国科学院计算技术研究所

[2] 中国科学院大学

来源：

计算机研究与发展 | 2014年 / 51(S1)卷 / S1期

关键词：

非易失性存储器; 内存系统; 性能; 评测; 分析;

D O I：

暂无

中图分类号：

TP333 [存贮器];

学科分类号：

081201 ;

摘要：

新型非易失性存储器(non-volatile memory,NVM)具有扩展性好、静态能耗低、非易失性等特点,基于NVM的内存系统有望在未来补充甚至替代DRAM内存.但是NVM写延迟较长、写耐久性有限、动态写能耗高的问题,对NVM的实际应用产生了挑战.NVM内存系统如何影响应用程序,哪些因素会影响NVM内存系统的性能,是一个值得研究的问题.初步评测了NVM内存系统的性能,所提出的NVM内存包括两种:一种是只有NVM的内存(NVM-only memory);另一种是DRAM/NVM构成的混合内存.同时对比了NVM内存与DRAM内存的性能,分析了影响NVM内存系统的因素.最后,讨论了NVM内存系统研究的未来工作.

引用

页码：25 / 31

页数：7

共 3 条

[1] 基于相变存储器的非易失内存数据机密性保护 [J].

赵鹏 ;

朱龙云 .

计算机学报, 2011, 34 (11) :2114-2120

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