IMPURITY DISTRIBUTION IN EPITAXIAL SILICON FILMS

被引：172

作者：

THOMAS, CO

KAHNG, D

MANZ, RC

机构：

来源：

关键词：

D O I：

10.1149/1.2425235

中图分类号：

O646 [电化学、电解、磁化学];

学科分类号：

081704 ;

摘要：

引用

页码：1055 / 1061

页数：7

共 11 条

[1]

BASSECHES H, 1961, AUG AIME SEM MET C L

[2]

Grossman J.W., COMMUNICATION

KAHNG, D ;

THOMAS, CO ;

MANZ, RC .

[4]

KLEIN DL, 1961, MAY SEM S EL SOC IND

[5]

MATOVICH E, 1961, OCT SEM S EL SOC DET

[6]

MILLER KJ, 1961, OCT SEM S EL SOC DET

[7] Simplified and advanced Theory of the Boundary Layer Rectifiers [J].

Schottky, W. .

ZEITSCHRIFT FUR PHYSIK, 1942, 118 (9-10) :539-592

[8]

Spitzer W, COMMUNICATION

[9] PURIFICATION OF SICL4 BY ADSORPTION TECHNIQUES [J].

THEUERER, HC .

[10] EPITAXIAL SILICON FILMS BY THE HYDROGEN REDUCTION OF SIC1 [J].

THEUERER, HC .