ELECTRON-BEAM FABRICATION OF ION-IMPLANTED HIGH-PERFORMANCE FET CIRCUITS

被引：25

作者：

FANG, F

HATZAKIS, M

TING, CH

机构：

[1] IBM CORP,THOMAS J WATSON RES CTR,YORKTOWN HTS,NY 10598

[2] IBM CORP,E FISHKILL,NY 12524

来源：

JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY | 1973年 / 10卷 / 06期

关键词：

D O I：

10.1116/1.1318473

中图分类号：

O59 [应用物理学];

学科分类号：

摘要：

引用

页码：1082 / 1085

页数：4

共 8 条

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